我的網誌
在多山的韓國，要進行大型建設工程是一項艱鉅的任務，但全球頂尖的高頻寬記憶體製造商SK海力士正斥資7200億美元，打造號稱全球最大的記憶體工廠網路。這家市值在過去一年內暴增逾五倍、目前已突破1兆美元的大廠，正把龐大的賭注押在人工智慧帶來的長期極端需求上。產能受限導致價格狂飆，正在改變這個傳統大起大落產業的結構，輝達(NVDA)等AI晶片巨頭為了確保供應無虞，更願意承擔較高的風險。
三大巨頭分食HBM市場，股價面臨震盪
目前該產業高度依賴少數幾家大廠。根據Counterpoint Research的數據，今年第一季SK海力士掌握了高頻寬記憶體(HBM)市場高達58%的市占率，其次是韓國同業三星與美國大廠美光(MU)，兩者市占率皆為21%。為了籌措龐大的建廠資金，原先在韓國交易所掛牌的SK海力士，於7月透過在那斯達克掛牌上市吸金高達265億美元，創下外國公司在美股籌資的歷史紀錄。然而，近期對於新進投資人而言卻相當煎熬。自7月14日寫下近195美元的高點後，其在美上市股價已回跌約21%，週三收在154.41美元。這波跌勢與AI類股（尤其是晶片股）的廣泛波動，以及韓國市場整體的下滑不謀而合，畢竟韓國市場約有一半的價值來自SK海力士與三星。
宛如一場戰爭！AI巨頭高層齊聚搶產能
儘管股價波動，但這絲毫沒有動搖SK海力士推動歷史性建廠計畫的決心。這也是韓國當局在6月公布更宏觀計畫的一部分，目標是在五年內將該國記憶體產量翻倍，其中也包含三星多座巨型晶圓廠的建設。媒體實地走訪龍仁半導體聚落與清州廠房，發現最大的差異在於廠房的高度。龍仁聚落的首座晶圓廠牆面已建至一半，據稱完工後將高達50層樓，內部將橫跨多個樓層設置六間無塵室，有別於台積電(TSM)與英特爾(INTC)在亞利桑那州所建的單層廣闊廠房。
HBM透過堆疊通用型動態隨機存取記憶體（DRAM）製成，是具備最快資料存取速度的記憶體，能協助AI處理器執行複雜任務。由於HBM消耗了大量的DRAM產能，已經開始排擠消費性電子產品的供應。AI巨頭紛紛簽訂比傳統短期合約更長期的協議，這讓過去被視為低毛利大宗商品的記憶體身價水漲船高。SK集團會長崔泰源在首爾受訪時形容這「宛如一場戰爭」，大家都想搶買記憶體晶片，否則根本無法生產AI運算設備與晶片。他也坦言價格上漲過快，希望能透過擴產來緩解現況。SK海力士7月宣布已與主要客戶簽署10份長期協議，輝達(NVDA)近期也確保了穩定的HBM供應，並作為5000億美元協議的一部分，同意共同開發次世代記憶體，計畫在2027年前與SK電信共同建設新資料中心。
崔泰源更展示了一片寫有輝達(NVDA)執行長黃仁勳留言的晶圓，上面寫著「請生產更多」。他透露偶爾會與微軟(MSFT)執行長納德拉、Google(GOOGL)執行長皮查伊以及Meta(META)執行長祖克柏等業界領袖會面。近幾個月來，黃仁勳與超微(AMD)執行長蘇姿丰也紛紛造訪韓國商討記憶體產能。分析師指出，SK海力士與三星擴廠地點附近的飯店目前一房難求，各大科技巨頭都派員前往韓國簽約。
防堵中國競爭，美光與海力士大舉投資美國
SK海力士在中國雖有三座記憶體廠，但受限於美國出口管制，無法在當地銷售最先進的HBM。與此同時，中國本土的AI記憶體製造商正逐漸崛起，例如近期在上海股市掛牌的長鑫存儲。分析師警告，這是一場與中國的競賽，且危險程度超乎想像。在此地緣政治背景下，美國也正極力擴充產能。美光(MU)正斥資500億美元在愛達荷州波夕市興建兩座大型記憶體廠，首座預計2027年投產；同時在紐約州克萊市打造耗資1000億美元的園區，最多將容納四座晶圓廠。
SK海力士同樣積極佈局美國，其首座美國設施預計於2028年完工，這座位在印第安納州西拉法葉、斥資40億美元的廠房，主要負責將記憶體晶片堆疊並接合的封裝製程，而非前端製造。此外，SK海力士在2020年同意以90億美元收購英特爾(INTC)的NAND業務，成立了總部設於加州的子公司Solidigm，今年1月更在美國重組該業務並成立一家投資規模達100億美元的AI公司。針對更多美國設廠計畫，崔泰源表示已經評估可能地點超過一個月，雖然有意願，但仍須找到最合適的選址。
客製化HBM成趨勢，記憶體迎來歷史轉捩點
在積極擴張的同時，記憶體產業正處於重要的轉捩點。透過向次世代客製化HBM的技術躍進，將有助於降低SK海力士鉅額投資的風險。目前的客製化HBM正與AI處理器共同設計，這股趨勢在次世代HBM5中將加速發酵。崔泰源強調，輝達(NVDA)需要專屬的客製化晶片，Google(GOOGL)也想要客製化的HBM，這意味著它已不再只是一般的商品，而是徹底改變了記憶體晶片在產業鏈中的戰略地位。
